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MOSFET Nexperia canal N, LFPAK, SOT-669 184 A 55 V, 4 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-1704884
Fabricant:
     Nexperia
N°. du fabricant:
     BUK9Y19-55B,115
EAN/GTIN:
     5059043813882
Mots de recherche:
Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
Transistor de puissance
Transistors de puissance
De la gestion dune simple lampe aux besoins complexes du contrôle de puissance dans les applications de moteur, de corps ou de châssis, les semi-conducteurs de puissance de Nexperia peuvent fournir la réponse à de nombreux problèmes de puissance des systèmes automobiles.Adapté pour les environnements thermiquement exigeants grâce à une valeur nominale de 175 °C Applications Focus MOSFET Direction assistée électrique Gestion des moteurs Générateur de démarrage intégré Contrôle de la transmission Eclairage automobile Freins (ABS) Contrôle de climatisationTransistor à effet de champ (FET) à mode denrichissement et canal N de niveau logique dans un boîtier en plastique utilisant la technologie TrenchMOS. Ce produit a été conçu pour une utilisation dans les applications critiques pour lautomobile.Faibles pertes de conduction grâce à la faible résistance à létat passant Adapté pour les sources de commande de grille de niveau logique Adapté pour les environnements thermiquement exigeants grâce à la valeur nominale de 175 °C Charges 12 V et 24 V, Systèmes automobiles Commutation de puissance à usage général pour moteurs, lampes et solénoïdes
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
184 A
Tension Drain Source maximum:
55 V
Type de boîtier:
LFPAK, SOT-669
Série:
BUK9Y19
Type de montage:
CMS
Nombre de broches:
4
Résistance Drain Source maximum:
40 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:
2.3V
Tension de seuil minimale de la grille:
0.5V
Dissipation de puissance maximum:
85 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
15 V
Longueur:
5mm
Autres mots de recherche: MOSFET, mosfet 12v, transistor à effet de champ, 1704884, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Nexperia, BUK9Y1955B,115
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Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 1295
Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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