Informations sur les produits | |
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| N° du produit: 1295E-1705339 N°. du fabricant: BSH111BKR EAN/GTIN: 5059043820385 |
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| Transistors MOSFET de niveau logique et standard dans divers boîtiers. Les transistors MOSFET robustes et faciles à utiliser sont disponibles dans la plage de 40 à 60 V. Ils sont parfaits pour les applications à espace et puissance limités, offrant dexcellentes performances de commutation et une zone de fonctionnement sûre (SOA) de pointe.Transistor à effet de champ (FET) à enrichissement canal N, intégré dans un petit boîtier en plastique à montage en surface (CMS) SOT23 (TO-236AB) utilisant la technologie MOSFET à tranchéeFaible tension de seuil Commutation très rapide Technologie MOSFET à tranchée Protection contre les décharges électrostatiques (ESD) > HBM 3 kV Driver de relais Driver de ligne haut débit Commutateur de charge "faible puissance" Circuits de commutation Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 335 mA | Tension Drain Source maximum: | 55 V | Type de boîtier: | TO-236 | Série: | BSH111BK | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 8,1 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 1.3V | Tension de seuil minimale de la grille: | 0.6V | Dissipation de puissance maximum: | 1,45 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | 10 V | Longueur: | 3mm |
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| Autres mots de recherche: MOSFET, Relais MOSFET, Relais asymétrique, Relais asymétriques, Relais de tension monophasé, Relais de tension monophasés, Relais de surveillance réseau, Relais surveillance réseau, Relais de tension, Relais surveillance tension, Relais de surveillance de sous-tension, Relais de contrôle de sous-tension, Relais de surveillance de sous tension, Relais de contrôle de sous tension, Relais de sous-tension, Relais de sous tension, Relais de surveillance de sur-tension, Relais de surveillance de sur tension, Relais de contrôle de sur-tension, Relais de contrôle de sur tension, Relais de sur-tension, Relais de surveillance sur-tension, mosfet 60v, transistor à effet de champ, 1705339, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Nexperia, BSH111BKR |
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