Informations sur les produits | |
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| N° du produit: 1295E-1705446 N°. du fabricant: BUK9Y59-60E,115 EAN/GTIN: 5059043770963 |
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| De la gestion dune simple lampe aux besoins complexes du contrôle de puissance dans les applications de moteur, de corps ou de châssis, les semi-conducteurs de puissance de Nexperia peuvent fournir la réponse à de nombreux problèmes de puissance des systèmes automobiles.Adapté pour les environnements thermiquement exigeants grâce à une valeur nominale de 175 °C Applications Focus MOSFET Direction assistée électrique Gestion des moteurs Générateur de démarrage intégré Contrôle de la transmission Eclairage automobile Freins (ABS) Contrôle de climatisationTransistor MOSFET à canal N de niveau logique dans un boîtier LFPAK56 (Power SO8) utilisant la technologie TrenchMOS. Ce produit a été conçu pour une utilisation dans les applications automobiles haute performance.Résistance aux avalanches répétitives Adapté pour les environnements thermiquement exigeants grâce à la valeur nominale de 175 °C Grille de niveau logique véritable avec VGS(th) nominale de plus de 0,5 V à 175 °C Systèmes automobiles 12 V Commande de moteurs, de lampes et de solénoïdes Commande de transmission Commutation de puissance ultrahaute performance Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 16,7 A | Tension Drain Source maximum: | 60 V | Type de boîtier: | LFPAK, SOT-669 | Série: | BUK9Y59 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 4 | Résistance Drain Source maximum: | 133 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2.45V | Tension de seuil minimale de la grille: | 0.5V | Dissipation de puissance maximum: | 37 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | 10 V | Longueur: | 5mm |
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