Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1711952 N°. du fabricant:
BSC12DN20NS3GATMA1 EAN/GTIN:
5059043822846 |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 11,3 A
Tension Drain Source maximum = 200 V
Série = BSC12DN20NS3 G
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 8
Résistance Drain Source maximum = 125 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 4V
Tension de seuil minimale de la grille = 2V
Dissipation de puissance maximum = 50 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = 20 V
Largeur = 6.35mm
Température de fonctionnement minimum = -55 °CV Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 11,3 A | Tension Drain Source maximum: | 200 V | Type de boîtier: | TDSON | Série: | OptiMOS™ 3 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 125 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 4V | Tension de seuil minimale de la grille: | 2V | Dissipation de puissance maximum: | 50 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | 20 V | Longueur: | 5.35mm |
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| Autres mots de recherche: transistors de puissance, 1711952, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Infineon, BSC12DN20NS3GATMA1 |
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