Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1720384 N°. du fabricant:
RD3G500GNTL EAN/GTIN:
5059043566924 |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 50 A
Tension Drain Source maximum = 40 V
Série = RD3G500GN
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 3
Résistance Drain Source maximum = 6,3 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 2.5V
Tension de seuil minimale de la grille = 1V
Dissipation de puissance maximum = 35 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = ±20 V
Température d'utilisation maximum = +150 °C
Hauteur = 2.3mm Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 50 A | Tension Drain Source maximum: | 40 V | Type de boîtier: | DPAK (TO-252) | Série: | RD3G500GN | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 6,3 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2.5V | Tension de seuil minimale de la grille: | 1V | Dissipation de puissance maximum: | 35 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±20 V | Longueur: | 6.8mm |
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| Autres mots de recherche: 1720384, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, ROHM, RD3G500GNTL |
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