Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1720513 N°. du fabricant:
R8010ANX EAN/GTIN:
5059043335469 |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 10 A
Tension Drain Source maximum = 800 V
Type de boîtier = TO-220FM
Type de montage = Traversant
Nombre de broches = 3
Résistance Drain Source maximum = 950 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 5V
Tension de seuil minimale de la grille = 3V
Dissipation de puissance maximum = 40 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = ±30 V
Largeur = 4.8mm
Tension directe de la diode = 1.5V Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 10 A | Tension Drain Source maximum: | 800 V | Type de boîtier: | TO-220FM | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 950 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 5V | Tension de seuil minimale de la grille: | 3V | Dissipation de puissance maximum: | 40 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±30 V | Longueur: | 10.3mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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| Autres mots de recherche: 1720513, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, ROHM, R8010ANX |
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