Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1723355 N°. du fabricant:
NVMFD5C672NLT1G EAN/GTIN:
5059042293159 |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 49 A
Tension Drain Source maximum = 60 V
Type de boîtier = DFN
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 8
Résistance Drain Source maximum = 16,8 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 2.2V
Tension de seuil minimale de la grille = 1.2V
Dissipation de puissance maximum = 45 W
Tension Grille Source maximum = ±20 V
Charge de Grille type @ Vgs = 12,3 nC @ 10 V
Tension directe de la diode = 1.2V Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 49 A | Tension Drain Source maximum: | 60 V | Type de boîtier: | DFN | Série: | NVMFD5C672NL | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 16,8 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2.2V | Tension de seuil minimale de la grille: | 1.2V | Dissipation de puissance maximum: | 45 W | Tension Grille Source maximum: | ±20 V | Longueur: | 6.1mm | Température d'utilisation maximum: | +175 °C |
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| Autres mots de recherche: transistors de puissance, 1723355, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, NVMFD5C672NLT1G |
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