Informations sur les produits |  |
| |
| N° du produit:
1295E-1723379 N°. du fabricant:
NVTFS6H850NTAG EAN/GTIN:
5059042316032 |
| |
|
| | |
| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 68 A
Tension Drain Source maximum = 80 V
Série = NVTFS6H850N
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 8
Résistance Drain Source maximum = 9,5 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 4V
Tension de seuil minimale de la grille = 2V
Dissipation de puissance maximum = 107 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = ±20 V
Température d'utilisation maximum = +175 °C
Tension directe de la diode = 1.2V Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 68 A | Tension Drain Source maximum: | 80 V | Type de boîtier: | WDFN | Série: | NVTFS6H850N | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 9,5 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 4V | Tension de seuil minimale de la grille: | 2V | Dissipation de puissance maximum: | 107 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±20 V | Longueur: | 3.15mm |
|
| | |
| | | |
| Autres mots de recherche: 1723379, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, NVTFS6H850NTAG |
| | |
| |