Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1779690 N°. du fabricant:
TN0110N3-G EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Ce transistor (normalement fermé) à mode dappauvrissement à faible seuil utilise une structure DMOS verticale et un procédé de fabrication éprouvé à grille de silicium. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance dentrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif nest pas soumis à lemballement thermique ou à la coupure auxiliaire causée par la chaleur. Les transistors FET DMOS verticaux sont parfaitement adaptés à une large gamme dapplications de commutation et damplification, dans lesquelles une très basse tension de seuil, une haute tension de coupure, une forte impédance dentrée, une faible capacité dentrée et des commutations rapides sont souhaitées.Faible seuil de 2 V max. Impédance dentrée élevée Faible capacité dentrée de 50 pF typique Vitesses de commutation rapides Faible résistance à létat passant Libre de débitage secondaire Faible niveau de fuites dentrée et sortie Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 350 mA | Tension Drain Source maximum: | 100 V | Type de boîtier: | TO-92 | Série: | TN0110 | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 4,5 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2V | Tension de seuil minimale de la grille: | 0.6V | Dissipation de puissance maximum: | 1 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | 20 V | Longueur: | 5.08mm |
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