MOSFET Microchip canal N, TO-236 280 mA 60 V, 3 broches

Ce transistor (normalement fermé) à mode dappauvrissement à faible seuil utilise une structure DMOS verticale et un procédé de fabrication éprouvé à grille de silicium. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance dentrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif nest pas soumis à lemballement thermique ou à la coupure auxiliaire causée par la chaleur. Les transistors FET DMOS verticaux sont parfaitement adaptés à une large gamme dapplications de commutation et damplification, dans lesquelles une très basse tension de seuil, une haute tension de coupure, une forte impédance dentrée, une faible capacité dentrée et des commutations rapides sont souhaitées.Libre de débitage secondaire Faible puissance dentraînement requise Plus grande facilité de mise en parallèle Faible CISS et vitesses de commutation rapides Excellente stabilité thermique Diode de source-drain intégrée Impédance dentrée et gain élevés