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MOSFET Microchip canal N, TO-92 350 mA 60 V, 3 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-1779734
Fabricant:
     Microchip Technology
N°. du fabricant:
     TN0106N3-G
EAN/GTIN:
     5059045707059
Mots de recherche:
Relais de haute performance
Relais haute puissance
Relais haute performance
Relais à haute puissance
Transistor MOSFET Microchip TechnologyLe transistor MOSFET canal N à montage traversant de Microchip Technology est un nouveau produit dâge avec une résistance de drain-source de 3 ohms à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté dune tension source de drain de 60 V et dune tension source de grille maximale de 20 V. Il est doté dun courant de drain continu de 350 mA et dune dissipation de puissance maximale de 1 W. La tension dentraînement minimum et maximum pour ce transistor MOSFET est de 4,5 V et 10 V respectivement. Le transistor MOSFET est un transistor à mode denrichissement (normalement désactivé) qui utilise une structure DMOS verticale et un processus de fabrication de grille en silicium éprouvé. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance dentrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique significative de toutes les structures MOS, ce dispositif est exempt de lemballement thermique et de la rupture secondaire causée thermiquement. Ce transistor FET DMOS vertical a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi quune longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.Caractéristiques et avantagesFacilité de mise en parallèle • Excellente stabilité thermique • Sans coupure secondaire Impédance dentrée élevée et gain élevé • Diode de drain de source intégrée Faible CISS et vitesses de commutation rapides • Faible consommation dénergie requise Les plages de températures dutilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.Applications• Commutateurs analogiques Systèmes alimentés par batterie • Conducteurs de ligne à usage général • Interfaces de niveau logique - idéales pour TTL et CMOS • Entraîneurs photo-volatiles • Relais statiques • Commutateurs de télécommunicationCertificationsANSI/ESD S20.20:2014 BS EN 61340-5-1:2007 JEDEC
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
350 mA
Tension Drain Source maximum:
60 V
Type de boîtier:
TO-92
Série:
TN0106
Type de montage:
Traversant
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
4,5 Ω
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:
2V
Tension de seuil minimale de la grille:
0.6V
Dissipation de puissance maximum:
1 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
20 V
Longueur:
5.08mm
Autres mots de recherche: Relais à haute performance, Transistor de puissance, Transistors de puissance, MOSFET, Relais MOSFET, Relais asymétrique, Relais asymétriques, Relais de tension monophasé, Relais de tension monophasés, Relais de surveillance réseau, Relais surveillance réseau, Relais de tension, Relais surveillance tension, Relais de surveillance de sous-tension, Relais de contrôle de sous-tension, Relais de surveillance de sous tension, Relais de contrôle de sous tension, Relais de sous-tension, Relais de sous tension, Relais de surveillance de sur-tension, Relais de surveillance de sur tension, Relais de contrôle de sur-tension, Relais de contrôle de sur tension, Relais de sur-tension, Relais de surveillance sur-tension, mosfet 60v, relais mosfet, 1779734, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Microchip, TN0106N3G
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Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
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