Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1779750 N°. du fabricant:
2N6661 EAN/GTIN:
5059045475279 |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 350 mA
Tension Drain Source maximum = 90 V
Type de boîtier = TO-39
Type de montage = Traversant
Nombre de broches = 3
Résistance Drain Source maximum = 5 Ω
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 2V
Tension de seuil minimale de la grille = 0.8V
Dissipation de puissance maximum = 6,25 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = 20 V
Température d'utilisation maximum = +150 °C
Tension directe de la diode = 1.2V Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 350 mA | Tension Drain Source maximum: | 90 V | Type de boîtier: | TO-39 | Série: | 2N6661 | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 5 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2V | Tension de seuil minimale de la grille: | 0.8V | Dissipation de puissance maximum: | 6,25 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | 20 V | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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| Autres mots de recherche: 1779750, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Microchip, 2N6661 |
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