Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1779760 N°. du fabricant:
2N7000-G EAN/GTIN:
5059045471998 |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 200 mA
Tension Drain Source maximum = 60 V
Type de boîtier = TO-92
Type de montage = Traversant
Nombre de broches = 3
Résistance Drain Source maximum = 5,3 Ω
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 3V
Tension de seuil minimale de la grille = 0.8V
Dissipation de puissance maximum = 1 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = 30 V
Largeur = 4.06mm
Température de fonctionnement minimum = -55 °C Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 200 mA | Tension Drain Source maximum: | 60 V | Type de boîtier: | TO-92 | Série: | 2N7000 | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 5,3 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 3V | Tension de seuil minimale de la grille: | 0.8V | Dissipation de puissance maximum: | 1 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | 30 V | Longueur: | 5.08mm |
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| Autres mots de recherche: transistors de puissance, 1779760, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Microchip, 2N7000G |
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