Informations sur les produits | |
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| N° du produit: 1295E-1779871 N°. du fabricant: VN0300L-G EAN/GTIN: 5059045475873 |
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| Transistor MOSFET Microchip TechnologyLe transistor MOSFET canal N à montage traversant de Microchip Technology est un nouveau produit dâge avec une tension source de drain de 30 V et une tension source de grille maximale de 30 V. Il est doté dune résistance drain-source de 1,2 ohm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté dun courant de drain continu de 640 mA et dune dissipation de puissance maximale de 1 W. La tension dentraînement minimum et maximum pour ce transistor MOSFET est de 5 V et 10 V respectivement. Le transistor MOSFET est un transistor MOSFET à mode damélioration (normalement désactivé) qui utilise une structure DMOS verticale et un processus de fabrication éprouvé à porte de silicium. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance dentrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique significative de toutes les structures MOS, ce dispositif est exempt de lemballement thermique et de la rupture secondaire causée thermiquement. Ce transistor FET DMOS vertical a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi quune longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.Caractéristiques et avantagesFacilité de mise en parallèle • Excellente stabilité thermique • Sans coupure secondaire Impédance dentrée élevée et gain élevé • Diode de drain de source intégrée Faible CISS et vitesses de commutation rapides • Faible consommation dénergie requise Les plages de températures dutilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.Applications• Amplificateurs • Convertisseurs Drivers : relais, marteaux, solénoïdes, lampes, mémoires, affichages, transistors bipolaires, etc. • Commandes de moteur • Circuits dalimentation • CommutateursCertificationsANSI/ESD S20.20:2014 BS EN 61340-5-1:2007 JEDEC Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 640 mA | Tension Drain Source maximum: | 30 V | Type de boîtier: | TO-92 | Série: | VN0300 | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 3,3 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2.5V | Tension de seuil minimale de la grille: | 0.8V | Dissipation de puissance maximum: | 1 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | 30 V | Longueur: | 5.08mm |
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| Autres mots de recherche: Relais à haute performance, Transistor de puissance, Transistors de puissance, MOSFET, Relais MOSFET, Relais asymétrique, Relais asymétriques, Relais de tension monophasé, Relais de tension monophasés, Relais de surveillance réseau, Relais surveillance réseau, Relais de tension, Relais surveillance tension, Relais de surveillance de sous-tension, Relais de contrôle de sous-tension, Relais de surveillance de sous tension, Relais de contrôle de sous tension, Relais de sous-tension, Relais de sous tension, Relais de surveillance de sur-tension, Relais de surveillance de sur tension, Relais de contrôle de sur-tension, Relais de contrôle de sur tension, Relais de sur-tension, Relais de surveillance sur-tension, Relais amplificateur, Relais amplificateurs, relais mosfet, 1779871, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Microchip, VN0300LG |
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