Informations sur les produits | |
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| N° du produit: 1295E-1780847 N°. du fabricant: IRFI640GPBF EAN/GTIN: Pas d'information |
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| Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 9,8 A | Tension Drain Source maximum: | 200 V | Type de boîtier: | TO-220FP | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 180 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil minimale de la grille: | 2V | Dissipation de puissance maximum: | 40 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -20 V, +20 V | Température d'utilisation maximum: | +150 °C | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Matériau du transistor: | Si |
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| Autres mots de recherche: Transistor de puissance, Transistors de puissance, MOSFET, Transistors, Transistor, mosfet 200v, transistor à effet de champ, 1780847, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, IRFI640GPBF |
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