Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1783851 N°. du fabricant:
SQS966ENW-T1_GE3 EAN/GTIN:
5059045170327 |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 6 A
Tension Drain Source maximum = 60 V
Type de boîtier = PowerPAK 1212-8
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 8
Résistance Drain Source maximum = 60 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 2.5V
Tension de seuil minimale de la grille = 1.5V
Dissipation de puissance maximum = 27,8 W
Tension Grille Source maximum = ±20 V
Température d'utilisation maximum = +175 °Cmm
Tension directe de la diode = 1.1V Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 6 A | Tension Drain Source maximum: | 60 V | Type de boîtier: | PowerPAK 1212-8 | Série: | TrenchFET | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 60 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2.5V | Tension de seuil minimale de la grille: | 1.5V | Dissipation de puissance maximum: | 27,8 W | Tension Grille Source maximum: | ±20 V | Longueur: | 3.15mm | Température d'utilisation maximum: | +175 °C |
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| Autres mots de recherche: transistors de puissance, 1783851, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay Siliconix, SQS966ENWT1_GE3 |
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