Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1783873 N°. du fabricant:
SQJ431AEP-T1_GE3 EAN/GTIN:
5059045701187 |
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| Type de canal = P
Courant continu de Drain maximum = 9,4 A
Tension Drain Source maximum = 200 V
Série = TrenchFET
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 4
Résistance Drain Source maximum = 760 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 3.5V
Tension de seuil minimale de la grille = 2.5V
Dissipation de puissance maximum = 68 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = ±20 V
Charge de Grille type @ Vgs = 55 nC @ 10 Vmm
Hauteur = 1.07mm Plus d'informations: | | Type de canal: | P | Courant continu de Drain maximum: | 9,4 A | Tension Drain Source maximum: | 200 V | Type de boîtier: | PowerPAK SO-8L | Série: | TrenchFET | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 4 | Résistance Drain Source maximum: | 760 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 3.5V | Tension de seuil minimale de la grille: | 2.5V | Dissipation de puissance maximum: | 68 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±20 V | Longueur: | 5.99mm |
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| Autres mots de recherche: transistors de puissance, 1783873, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay Siliconix, SQJ431AEPT1_GE3 |
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