Informations sur les produits | |
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| N° du produit: 1295E-1783950 N°. du fabricant: SQD40031EL_GE3 EAN/GTIN: 5059045287650 |
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| Type de canal = P Courant continu de Drain maximum = 100 A Tension Drain Source maximum = 30 V Série = TrenchFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 5 mΩ Mode de canal = Enrichissement Tension de seuil maximale de la grille = 2.5V Tension de seuil minimale de la grille = 1.5V Dissipation de puissance maximum = 136 W Configuration du transistor = Simple Tension Grille Source maximum = ±20 V Charge de Grille type @ Vgs = 186 nC @ 10 V Hauteur = 6.22mm Plus d'informations: | | Type de canal: | P | Courant continu de Drain maximum: | 100 A | Tension Drain Source maximum: | 30 V | Type de boîtier: | DPAK (TO-252) | Série: | TrenchFET | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 5 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2.5V | Tension de seuil minimale de la grille: | 1.5V | Dissipation de puissance maximum: | 136 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±20 V | Longueur: | 6.73mm |
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| Autres mots de recherche: 1783950, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay Siliconix, SQD40031EL_GE3 |
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