Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1784503 N°. du fabricant:
NVMFD5C668NLT1G EAN/GTIN:
5059045292586 |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 68 A
Tension Drain Source maximum = 60 V
Type de boîtier = DFN
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 8
Résistance Drain Source maximum = 6,5 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 2V
Tension de seuil minimale de la grille = 1.2V
Dissipation de puissance maximum = 57,5 W
Tension Grille Source maximum = ±20 V
Largeur = 6.1mm
Hauteur = 1.05mm Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 68 A | Tension Drain Source maximum: | 60 V | Type de boîtier: | DFN | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 6,5 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2V | Tension de seuil minimale de la grille: | 1.2V | Dissipation de puissance maximum: | 57,5 W | Tension Grille Source maximum: | ±20 V | Longueur: | 5.1mm | Température d'utilisation maximum: | +175 °C | Nombre d'éléments par circuit: | 2 |
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| Autres mots de recherche: transistors de puissance, 1784503, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, NVMFD5C668NLT1G |
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