Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1787600 N°. du fabricant:
FDG6322C EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Transistor MOSFET à double canal P, mode amélioré, Fairchild Semiconductor. Les transistors à effet de champ en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide. Plus d'informations: | | Type de canal: | N, P | Courant continu de Drain maximum: | 220 mA, 410 mA | Tension Drain Source maximum: | 25 V | Type de boîtier: | SOT-363 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 6 | Résistance Drain Source maximum: | 1,9 Ω, 7 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil minimale de la grille: | 0.65V | Dissipation de puissance maximum: | 300 mW | Configuration du transistor: | Isolé | Tension Grille Source maximum: | -8 V, +8 V | Longueur: | 2mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C | Nombre d'éléments par circuit: | 2 |
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