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MOSFET onsemi canal N, A-220 222 A 100 V, 3 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Product Image
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N° du produit:
     1295E-1811858
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FDP2D3N10C
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 222 A
Tension Drain Source maximum = 100 V
Type de boîtier = A-220
Type de montage = Traversant
Nombre de broches = 3
Résistance Drain Source maximum = 2,3 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 4V
Tension de seuil minimale de la grille = 2V
Dissipation de puissance maximum = 214 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = ±20 V
Largeur = 4.67mm
Hauteur = 15.21mm
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
222 A
Tension Drain Source maximum:
100 V
Type de boîtier:
A-220
Type de montage:
Traversant
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
2,3 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:
4V
Tension de seuil minimale de la grille:
2V
Dissipation de puissance maximum:
214 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
±20 V
Longueur:
10.36mm
Température d'utilisation maximum:
+175 °C
Autres mots de recherche: Transistor, mosfet 100v, transistors de puissance, 1811858, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, FDP2D3N10C
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Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 1295
Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
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