Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1811903 N°. du fabricant:
FDP4D5N10C EAN/GTIN:
5059045718857 |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 128 A
Tension Drain Source maximum = 100 V
Type de boîtier = A-220
Type de montage = Traversant
Nombre de broches = 3
Résistance Drain Source maximum = 4,5 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 4V
Tension de seuil minimale de la grille = 2V
Dissipation de puissance maximum = 150 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = ±20 V
Largeur = 4.67mm
Hauteur = 15.21mm Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 128 A | Tension Drain Source maximum: | 100 V | Type de boîtier: | A-220 | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 4,5 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 4V | Tension de seuil minimale de la grille: | 2V | Dissipation de puissance maximum: | 150 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±20 V | Longueur: | 10.36mm | Température d'utilisation maximum: | +175 °C |
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| Autres mots de recherche: transistors de puissance, 1811903, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, FDP4D5N10C |
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