Puce mémoire SRAM CMS Infineon 16Mbit 1 Mb x 16 bits TSOP 54 broches

CY7C1061G et CY7C1061GE sont des dispositifs CMOS haute performance à mémoire RAM statique rapide avec ECC intégré. Les deux dispositifs sont proposés avec options d’activation par puce simple et double et de multiples options de configuration des broches. Le dispositif CY7C1061GE inclut une broche ERR qui signale la détection et correction d’une erreur de bit unique-pendant un cycle de lecture.Grande vitesse tAA = 10 ns/15 ns Code de correction derreur (ECC) intégré pour correction d’erreur de bit unique [1, 2] Faibles courants actifs et de veille ICC = 90 mA typique à 100 MHz ISB2 = 20 mA typique Plage de tension dutilisation : 1,65 à 2,2 V, 2,2 à 3,6 V, et 4,5 à 5,5 V Conservation des données 1 V Entrées et sorties compatibles logique transistor-transistor (TTL) Broche d’indication derreur (ERR) pour indiquer la détection et la correction derreur de 1 bit. Disponibles en boîtiers sans plomb TSOP I48 broches, TSOP II 54 broches, et VFBGA 48 billes