Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1817610 N°. du fabricant:
CY7C1021DV33-10ZSXIT EAN/GTIN:
5059045462392 |
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| Plages de température Industriel : -40 à 85 °C. Automobile-A : -40 à 85 °C. Broche et fonction compatibles avec CY7C1021CV33 Grande vitesse tAA = 10 ns Faible consommation active ICC = 60 mA @ 10 ns Faible consommation en veille CMOS ISB2 = 3 mA Conservation des V Data Mise hors tension automatique lorsquelle est désélectionnée CMOS pour une vitesse/puissance optimales Contrôle indépendant des embouts supérieur et inférieur Disponible en boîtiers SOJ moulés 400 Mil 44 broches sans plomb, TSOP II 44 broches et VFBGA 48 billes Plus d'informations: | | Taille mémoire: | 1Mbit | Configuration: | 64 k x 16 bits | Nombre de mots: | 64k | Nombre de bits par mot: | 16bit | Temps d'accès aléatoire maximum: | 10ns | Type de timing: | Asynchrone | Type de montage: | CMS | Type de boîtier: | TSOP | Nombre de broches: | 44 | Dimensions: | 18.51 x 10.26 x 1.04mm | Hauteur: | 1.04mm | Tension d'alimentation fonctionnement maximum: | 3,6 V | Longueur: | 18.51mm | Température d'utilisation maximum: | +85 °C | Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: | 3 V |
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| Autres mots de recherche: 1817610, Semi-conducteurs, Mémoires, Mémoires SRAM, Infineon, CY7C1021DV3310ZSXIT |
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