Puce mémoire SRAM CMS Infineon 4Mbit 512k x 16 bits SOJ 36 broches

Le CY7C1049GN est un dispositif RAM statique rapide CMOS haute performance organisé en 512 K mots par 8 bits. Lécriture de données est effectuée en affirmant les entrées LOW dactivation par puce (CE) et daccès en écriture (WE), tout en fournissant les données sur E/S0 à E/S7 et ladresse sur A0 à A18. La lecture de données est effectuée en affirmant les entrées LOW dactivation par puce (CE) et dactivation de sortie (OE), tout en fournissant ladresse requise sur les lignes dadresse. Les données en lecture sont accessibles sur les lignes E/S (E/S0 à E/S7). Toutes les E/S (E/S0 à E/S7) sont placées dans un état de haute impédance pendant les événements suivants : Lappareil est désactivé (CE HIGH). Le signal de commande OE nest pas affirmé.Grande vitesse tAA = 10 ns Faibles courants actifs et de veille Courant actif : ICC = 38 mA typique Courant de veille : ISB2 = 6 mA typique Plage de tension dutilisation : 1,65 à 2,2 V, 2,2 à 3,6 V, et 4,5 à 5,5 V Conservation des données 1 V Entrées et sorties compatibles TTL Boîtiers SOJ 36 broches et TSOP II 44 broches sans plomb