Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1844729 N°. du fabricant:
BVSS84LT1G EAN/GTIN:
5059045355946 |
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| Type de canal = P
Courant continu de Drain maximum = 130 mA
Tension Drain Source maximum = 50 V
Type de boîtier = SOT-23
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 3
Résistance Drain Source maximum = 10 Ω
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 2V
Tension de seuil minimale de la grille = 0.9V
Dissipation de puissance maximum = 225 mW
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = ±20 V
Température d'utilisation maximum = +150 °C
Hauteur = 1.01mm Plus d'informations: | | Type de canal: | P | Courant continu de Drain maximum: | 130 mA | Tension Drain Source maximum: | 50 V | Type de boîtier: | SOT-23 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 10 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2V | Tension de seuil minimale de la grille: | 0.9V | Dissipation de puissance maximum: | 225 mW | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±20 V | Longueur: | 3.04mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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| Autres mots de recherche: 1844729, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, BVSS84LT1G |
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