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MOSFET ROHM canal N, TO-247G 30 A 600 V, 3 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-1851315
Fabricant:
     ROHM Semiconductor
N°. du fabricant:
     R6030JNZ4C13
EAN/GTIN:
     5059045650270
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
R6030JNZ4 est un MOSFET de puissance avec temps de récupération arrière rapide (TRR), adapté aux applications de commutation.Temps de récupération inverse rapide (trr) Faible résistance à létat passant Vitesse de commutation élevée Les circuits dentraînement peuvent être simples Placage compatible sans plomb
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
30 A
Tension Drain Source maximum:
600 V
Type de boîtier:
TO-247G
Type de montage:
Traversant
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
140 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:
7V
Tension de seuil minimale de la grille:
5V
Dissipation de puissance maximum:
370 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
±30 V
Longueur:
16.24mm
Température d'utilisation maximum:
+150 °C
Autres mots de recherche: Transistor, transistors de puissance, 1851315, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, ROHM, R6030JNZ4C13
Entrepôts (3)
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Entrepôt 1295
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28 jours
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Prix: Entrepôt 1295
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HT
TTC
Unité
1 Pièce
€ 8,546*
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par Pièce
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à partir de 20 Pièces
€ 6,548*
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par Pièce
à partir de 50 Pièces
€ 6,328*
€ 7,594
par Pièce
à partir de 7500 Pièces
€ 5,438*
€ 6,526
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État du stock: Entrepôt 1295
Expédition: Entrepôt 1295
Montant de la commande
Expédition
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Franco à domicile
Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 1295
Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.
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