Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1858135 N°. du fabricant:
NTBS2D7N06M7 EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 110 A
Tension Drain Source maximum = 60 V
Type de boîtier = D2PAK (TO-263)
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 3
Résistance Drain Source maximum = 5 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 4V
Tension de seuil minimale de la grille = 2V
Dissipation de puissance maximum = 176 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = ±20 V
Nombre d'éléments par circuit = 1mm
Température de fonctionnement minimum = -55 °Cmm Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 110 A | Tension Drain Source maximum: | 60 V | Type de boîtier: | D2PAK (TO-263) | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 5 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 4V | Tension de seuil minimale de la grille: | 2V | Dissipation de puissance maximum: | 176 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±20 V | Longueur: | 10.67mm | Température d'utilisation maximum: | +175 °C |
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| Autres mots de recherche: transistors de puissance, 1858135, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, NTBS2D7N06M7 |
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