Informations sur les produits | |
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| N° du produit: 1295E-1858155 N°. du fabricant: NVMFS6H824NT1G EAN/GTIN: Pas d'information |
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| Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 103 A Tension Drain Source maximum = 80 V Type de boîtier = DFN Type de montage = CMS Nombre de broches = 5 Résistance Drain Source maximum = 4,5 mΩ Mode de canal = Enrichissement Tension de seuil maximale de la grille = 4V Tension de seuil minimale de la grille = 2V Dissipation de puissance maximum = 115 W Configuration du transistor = Simple Tension Grille Source maximum = ±20 V Température d'utilisation maximum = +175 °Cmm Tension directe de la diode = 1.2V Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 103 A | Tension Drain Source maximum: | 80 V | Type de boîtier: | DFN | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 5 | Résistance Drain Source maximum: | 4,5 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 4V | Tension de seuil minimale de la grille: | 2V | Dissipation de puissance maximum: | 115 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±20 V | Longueur: | 5.1mm | Température d'utilisation maximum: | +175 °C |
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| Autres mots de recherche: 1858155, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, NVMFS6H824NT1G |
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