Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1859264 N°. du fabricant:
NVTFS6H854NTAG EAN/GTIN:
5059045651147 |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 44 A
Tension Drain Source maximum = 80 V
Type de boîtier = WDFN
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 8
Résistance Drain Source maximum = 14,5 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 4V
Tension de seuil minimale de la grille = 2V
Dissipation de puissance maximum = 68 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = ±20 V
Nombre d'éléments par circuit = 1
Température de fonctionnement minimum = -55 °C Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 44 A | Tension Drain Source maximum: | 80 V | Type de boîtier: | WDFN | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 14,5 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 4V | Tension de seuil minimale de la grille: | 2V | Dissipation de puissance maximum: | 68 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±20 V | Longueur: | 3.15mm | Température d'utilisation maximum: | +175 °C |
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| Autres mots de recherche: 1859264, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, NVTFS6H854NTAG |
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