Informations sur les produits |  |
| |
| N° du produit:
1295E-1861481 N°. du fabricant:
NVB082N65S3F EAN/GTIN:
5059045656227 |
| |
|
| | |
| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 40 A
Tension Drain Source maximum = 650 V
Type de boîtier = D2PAK (TO-263)
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 3
Résistance Drain Source maximum = 82 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Dissipation de puissance maximum = 313 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = ±30 V
Charge de Grille type @ Vgs = 81 nC @ 10 Vmm
Température de fonctionnement minimum = -55 °CV Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 40 A | Tension Drain Source maximum: | 650 V | Type de boîtier: | D2PAK (TO-263) | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 82 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Dissipation de puissance maximum: | 313 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±30 V | Longueur: | 10.67mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Charge de Grille type @ Vgs: | 81 nC @ 10 V |
|
| | |
| | | |
| Autres mots de recherche: 1861481, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, NVB082N65S3F |
| | |
| |