SDRAM, W949D2DBJX5I, 512Mbit, 200MHz, 1,7 à 1,95 V, VFBGA 90 broches LPDDR

VDD = 1,7 à 1 ,95 V VDDQ = 1,7 ∼ 1 ,95 V. Largeur des données : x16/x32 Fréquence dhorloge : 200 MHz (-5), 166 MHz (-6) Mode autoactualisation standard Actualisation automatique partielle de réseau (PASR) Auto-actualisation à compensation de température (ATCSR) Mode de mise hors tension Mode de mise hors tension profonde (mode DPD) Force dentraînement de mémoire tampon à sortie programmable Quatre rangées internes pour un fonctionnement simultané Masque de données (DM) pour lécriture de données Capacité darrêt dhorloge pendant les périodes dinactivité Option de précharge automatique pour chaque accès à la rupture Double débit de données pour la sortie de données Entrées dhorloge différentielle (CK et CK) Stroboscope de données bidirectionnel (DQS) Latence CAS : 2 et 3 Longueur déclatement : 2, 4, 8 et 16 Type de rafale : séquentiel ou entrelacé 8 K cycles de rafraîchissement/64 mS Interface : compatible LVCMOS Boîtier de support : 60 billes VFBGA (x16) 90 billes VFBGA (x32) Indice de température de fonctionnement Extension : -25 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C. Industriel : -40 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.Il sagit dune SDRAM DDR à faible consommation de 512 Mo organisée en 2 mots x 4 banques x 32 bits.Type de rafale : séquentiel ou entrelacé Mode autoactualisation standard PASR, ATCSR, mode de mise hors tension, DPD Force dentraînement de mémoire tampon à sortie programmable Quatre rangées internes pour un fonctionnement simultané Strobe de données bidirectionnel (DQS, Bidirectional data strobe) transmis et reçu avec des données, pour être utilisé dans la capture de données au niveau du récepteur