Mémoire flash, 2Gbit, 256M x 8 bits, Parallèle, VFBGA, 63 broches

Densité : 2 Gbit (solution à puce unique) Vcc : 2,7 à 3,6 V. Largeur du bus : x8 Température dutilisation Applications industrielles : -40 à +85 °C Technologie SLC (Single-Level Cell). Organisation Densité : 2 Go/256 Mo Taille de page 2 112 octets (2 048 + 64 octets) Taille de bloc 64 pages (128 K + 4 K octets) Hautes performances Performances de lecture (max.) Lecture aléatoire : 25 us Cycle de lecture séquentiel : 25 ns Performances deffacement décriture Durée du programme de page : 250 us (typ.) Durée deffacement de bloc : 2 ms (typ.) Endurance 100 000 cycles deffacement/de programme(2) Conservation des données pendant 10 ans Jeu de commandes Jeu de commandes NAND standard Prise en charge de commandes supplémentaires Lecture séquentielle du cache Lecture aléatoire de la mémoire cache Programme de cache Copie arrière Fonctionnement en deux plans Contact Winbond pour la fonction OTP Contact Winbond pour la fonction de verrouillage de bloc Consommation électrique la plus faible Lecture : 25 mA (typ. 3 V) Programmation/effacement : 25 mA (typ. 3 V) Veille CMOS : 10 uA (typ.) Emballage à gain de place TSOP1 standard à 48 broches VFBGA 63 billesMémoire Flash NAND SLC de 2 Go avec taille de page uniforme de 2 ko + 64 B.Largeur de bus : x8 Lecture aléatoire : 25 us Durée du programme de page : 250 us (typ.) Temps deffacement de bloc : 2 ms (typ.) Prise en charge de la zone de mémoire OTP