Informations sur les produits | |
|
| N° du produit: 1295E-1884918 N°. du fabricant: SQJA42EP-T1_GE3 EAN/GTIN: Pas d'information |
| |
|
| | |
| Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 20 A Tension Drain Source maximum = 40 V Type de boîtier = PowerPAK SO-8L Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Résistance Drain Source maximum = 16 mΩ Mode de canal = Enrichissement Tension de seuil maximale de la grille = 2.3V Tension de seuil minimale de la grille = 1.3V Dissipation de puissance maximum = 27 W Configuration du transistor = Simple Tension Grille Source maximum = ±20 V Largeur = 4.47mm Hauteur = 1.01mm Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 20 A | Tension Drain Source maximum: | 40 V | Type de boîtier: | PowerPAK SO-8L | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 16 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2.3V | Tension de seuil minimale de la grille: | 1.3V | Dissipation de puissance maximum: | 27 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±20 V | Longueur: | 5mm | Température d'utilisation maximum: | +175 °C |
|
| | |
| | | |
| Autres mots de recherche: 1884918, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, SQJA42EPT1_GE3 |
| | |
| |