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MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 120 A 40 V, 3 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-1884921
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SQM40041EL_GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistors de puissance
Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 120 A
Tension Drain Source maximum = 40 V
Type de boîtier = D2PAK (TO-263)
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 3
Résistance Drain Source maximum = 4,8 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 2.5V
Tension de seuil minimale de la grille = 1.5V
Dissipation de puissance maximum = 157 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = ±20 V
Température d'utilisation maximum = +175 °C
Standard automobile = AEC-Q101
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
120 A
Tension Drain Source maximum:
40 V
Type de boîtier:
D2PAK (TO-263)
Type de montage:
CMS
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
4,8 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille:
1.5V
Dissipation de puissance maximum:
157 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
±20 V
Longueur:
10.41mm
Température d'utilisation maximum:
+175 °C
Autres mots de recherche: 1884921, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, SQM40041EL_GE3
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Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 1295
Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
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