Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1885123 N°. du fabricant:
SISHA04DN-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059045813460 |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 40 A
Tension Drain Source maximum = 30 V
Type de boîtier = PowerPAK 1212-8SH
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 8
Résistance Drain Source maximum = 3,1 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 2.2V
Tension de seuil minimale de la grille = 1.1V
Dissipation de puissance maximum = 52 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = -16 V, +20 V
Largeur = 3.3mm
Hauteur = 0.93mm Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 40 A | Tension Drain Source maximum: | 30 V | Type de boîtier: | PowerPAK 1212-8SH | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 3,1 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2.2V | Tension de seuil minimale de la grille: | 1.1V | Dissipation de puissance maximum: | 52 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -16 V, +20 V | Longueur: | 3.3mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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| Autres mots de recherche: 1885123, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, SISHA04DNT1GE3 |
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