Informations sur les produits |  |
| |
| N° du produit:
1295E-1888280 N°. du fabricant:
STB11NM80T4 EAN/GTIN:
Pas d'information |
| |
|
| | |
| Canal N MDmesh™, 800 V / 1500 V, STMicroelectronics Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 11 A | Tension Drain Source maximum: | 800 V | Type de boîtier: | D2PAK (TO-263) | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 400 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 5V | Tension de seuil minimale de la grille: | 3V | Dissipation de puissance maximum: | 150 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±30 V | Longueur: | 10.4mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
|
| | |
| | | |
| Autres mots de recherche: 1888280, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, STMicroelectronics, STB11NM80T4 |
| | |
| |