Informations sur les produits |  |
| |
| N° du produit:
1295E-1888550 N°. du fabricant:
STD11N60DM2 EAN/GTIN:
5059045838814 |
| |
|
| | |
| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 10 A
Type de boîtier = DPAK (TO-252)
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 3
Résistance Drain Source maximum = 420 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 5V
Tension de seuil minimale de la grille = 4V
Dissipation de puissance maximum = 110 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = ±25 V
Largeur = 6.2mm
Hauteur = 2.17mm Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 10 A | Type de boîtier: | DPAK (TO-252) | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 420 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 5V | Tension de seuil minimale de la grille: | 4V | Dissipation de puissance maximum: | 110 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±25 V | Longueur: | 6.6mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C | Nombre d'éléments par circuit: | 1 |
|
| | |
| | | |
| Autres mots de recherche: 1888550, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, STMicroelectronics, STD11N60DM2 |
| | |
| |