Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1923490 N°. du fabricant:
C3M0016120K EAN/GTIN:
5059045389729 |
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| RDS(on) 16 mΩ de pointe 1 200 V VBR (minimum) sur toute la plage de températures dutilisation [-40 à 175 °C] Tension dentraînement de grille +15 V. Boîtier à faible impédance avec broche source Kelvin >8 mm de fuite/dégagement entre le drain et la source Commutation haute vitesse avec une faible capacité de sortie Diode intrinsèque rapide avec faible récupération inverse (QRR) Facile à mettre en parallèle et simple à entraîner Applications Systèmes de stockage dénergie et dénergie solaire Charge de véhicule électrique Onduleur (UPS) Commande de moteur et entraînements Alimentations à découpage (SMPS) Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 115 A | Tension Drain Source maximum: | 1200 V | Type de boîtier: | TO247-4 | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 4 | Résistance Drain Source maximum: | 16 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 3.6V | Tension de seuil minimale de la grille: | 1.8V | Dissipation de puissance maximum: | 556 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -8 V, 19 V. | Longueur: | 16.13mm | Température d'utilisation maximum: | +175 °C |
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| Autres mots de recherche: transistors de puissance, 1923490, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Wolfspeed, C3M0016120K |
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