Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1938470 N°. du fabricant:
CY7C10612G30-10ZSXI EAN/GTIN:
5059045316220 |
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| Grande vitesse tAA = 10 ns Code de correction derreur (ECC) intégré pour la correction derreur dun bit Faible consommation active ICC = 90 mA Faible consommation en veille CMOS ISB2 = 20 mA typique Tensions dutilisation de 3,3 ±0,3 V. Conservation des données 1 V Entrées et sorties compatibles logique transistor-transistor (TTL) Broche ERR pour indiquer la détection et la correction derreur 1 bit Disponible en boîtier TSOP II 54 broches sans plomb Plus d'informations: | | Taille mémoire: | 16Mbit | Configuration: | 1 Mb x 16 bits | Nombre de mots: | 1 M | Nombre de bits par mot: | 16bit | Temps d'accès aléatoire maximum: | 10ns | Largeur de bus d'adresse: | 16bit | Fréquence d'horloge: | 100MHz | Faible consommation: | Oui | Type de timing: | Asynchrone | Type de montage: | CMS | Type de boîtier: | TSOP II | Nombre de broches: | 54 | Dimensions: | 22.313 x 10.058 x 0.95mm | Hauteur: | 0.95mm | Tension d'alimentation fonctionnement maximum: | 3,6 V |
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| Autres mots de recherche: 1938470, Semi-conducteurs, Mémoires, Mémoires SRAM, Infineon, CY7C10612G3010ZSXI |
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