Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1948913 N°. du fabricant:
CY7C1021DV33-10VXI EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Ce dispositif est doté dune fonction de mise hors tension automatique qui réduit considérablement la consommation électrique lorsquil est désélectionné. Lécriture sur le dispositif est réalisée en prenant les entrées dactivation de puce (CE) et dactivation décriture (WE) LOW. Si lactivation faible octet (BLE) est BASSE, les données des broches dE/S (E/S0 à E/S7) sont écrites dans lemplacement spécifié sur les broches dadresse (A0 à A15). Si lactivation doctet haut (BHE) est FAIBLE, les données des broches dE/S (E/S8 à E/S15) sont écrites dans lemplacement spécifié sur les broches dadresse (A0 à A15). Le relevé du dispositif est effectué en prenant lactivation de circuit (CE) et lactivation de sortie (OE) BAS tout en forçant lactivation décriture (WE) HAUT. Si lactivation faible octet (BLE) est BASSE, les données de lemplacement de mémoire spécifié par les broches dadresse apparaissent sur E/S0 à E/S7. Si lactivation doctet haut (BHE) est FAIBLE, les données de la mémoire apparaissent sur les E/S8 à E/S15. Voir le tableau de la réalité à la fin de cette fiche technique pour une description complète des modes de lecture et décriture. Plus d'informations: | | Taille mémoire: | 1Mbit | Configuration: | 64 k x 16 bits | Nombre de mots: | 64k | Nombre de bits par mot: | 16bit | Temps d'accès aléatoire maximum: | 10ns | Largeur de bus d'adresse: | 16bit | Fréquence d'horloge: | 1MHz | Type de timing: | Asynchrone | Type de montage: | CMS | Type de boîtier: | SOJ | Nombre de broches: | 44 | Dimensions: | 1.13 x 0.405 x 0.12pouce | Hauteur: | 3.05mm | Tension d'alimentation fonctionnement maximum: | 3,3 V | Longueur: | 28.7mm |
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| Autres mots de recherche: 1948913, Semi-conducteurs, Mémoires, Mémoires SRAM, Infineon, CY7C1021DV3310VXI |
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