Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1952533 N°. du fabricant:
NTMYS011N04CTWG EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 35 A
Tension Drain Source maximum = 40 V
Type de boîtier = LFPAK, SOT-669
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 4
Résistance Drain Source maximum = 12 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 3.5V
Tension de seuil minimale de la grille = 2.5V
Dissipation de puissance maximum = 28 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = ±20 V
Largeur = 4.25mm
Hauteur = 1.15mm Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 35 A | Tension Drain Source maximum: | 40 V | Type de boîtier: | LFPAK, SOT-669 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 4 | Résistance Drain Source maximum: | 12 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 3.5V | Tension de seuil minimale de la grille: | 2.5V | Dissipation de puissance maximum: | 28 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±20 V | Longueur: | 5mm | Température d'utilisation maximum: | +175 °C |
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| Autres mots de recherche: 1952533, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, NTMYS011N04CTWG |
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