Informations sur les produits | |
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| N° du produit: 1295E-1952554 N°. du fabricant: NVTFS010N10MCLTAG EAN/GTIN: Pas d'information |
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| Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 57,8 A Tension Drain Source maximum = 100 V Type de boîtier = WDFN Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Résistance Drain Source maximum = 15,9 mΩ Mode de canal = Enrichissement Tension de seuil maximale de la grille = 3V Tension de seuil minimale de la grille = 1V Dissipation de puissance maximum = 77,8 W Configuration du transistor = Simple Tension Grille Source maximum = ±20 V Largeur = 3.15mm Standard automobile = AEC-Q101 Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 57,8 A | Tension Drain Source maximum: | 100 V | Type de boîtier: | WDFN | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 15,9 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 3V | Tension de seuil minimale de la grille: | 1V | Dissipation de puissance maximum: | 77,8 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±20 V | Longueur: | 3.3mm | Température d'utilisation maximum: | +175 °C |
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| Autres mots de recherche: 1952554, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, NVTFS010N10MCLTAG |
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