Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1952555 N°. du fabricant:
NVMFD6H852NLWFT1G EAN/GTIN:
4017918919665 |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 25 A
Tension Drain Source maximum = 80 V
Type de boîtier = DFN
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 8
Résistance Drain Source maximum = 31,5 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 2V
Tension de seuil minimale de la grille = 1.2V
Dissipation de puissance maximum = 3,2 W
Configuration du transistor = Double
Tension Grille Source maximum = ±20 V
Largeur = 5.1mm
Hauteur = 1.05mm Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 25 A | Tension Drain Source maximum: | 80 V | Type de boîtier: | DFN | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 31,5 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2V | Tension de seuil minimale de la grille: | 1.2V | Dissipation de puissance maximum: | 3,2 W | Configuration du transistor: | Double | Tension Grille Source maximum: | ±20 V | Longueur: | 6.1mm | Température d'utilisation maximum: | +175 °C |
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| Autres mots de recherche: 1952555, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, NVMFD6H852NLWFT1G |
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