Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1958719 N°. du fabricant:
FFSP0665B EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Les diodes Schottky au carbure de silicium (SiC) utilisent une technologie entièrement nouvelle offrant dexcellentes performances de commutation et une fiabilité plus élevée que le silicium. Labsence de courant de récupération inverse, des propriétés de commutation indépendantes de la température et dexcellentes performances thermiques font du carbure de silicium la prochaine génération de semi-conducteurs de puissance. Les avantages incluent un rendement supérieur, une fréquence dutilisation plus rapide, une densité de puissance accrue, la réduction des IEM et la réduction de la taille et du coût du système.Température de jonction max. 175°C Capacité de courant de pointe élevé Coefficient de température positif Plus grande facilité de mise en parallèle Aucune récupération inverse/Aucune récupération directe Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène et sans BFR Applications Usage général SMPS, Inverseur solaire, UPS Circuit de commutation de puissance Plus d'informations: | | Type de montage: | Traversant | Type de boîtier: | A-220 | Courant direct continu maximum: | 8A | Tension inverse de crête répétitive: | 650V | Configuration de diode: | Simple | Type de redressement: | Diode Schottky | Type diode: | Schottky SiC | Nombre de broches: | 2 | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Technologie de diode: | Schottky SiC |
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| Autres mots de recherche: 1958719, Semi-conducteurs, Composants discrets, Diodes Schottky et de redressements, onsemi, FFSP0665B |
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