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MOSFET STMicroelectronics canal N, H2PAK-7 45 A 650 V, 7 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-2010890
Fabricant:
     ST Microelectronics
N°. du fabricant:
     SCTH35N65G2V-7
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium 650 V STMicroelectronics est doté dune intensité nominale de 45 A et dune résistance de drain à source de 55 m ohms. Il est doté dune faible résistance à létat passant par zone dunité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste Capacité faible
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
45 A
Tension Drain Source maximum:
650 V
Type de boîtier:
H2PAK-7
Série:
SCTH35
Type de montage:
CMS
Nombre de broches:
7
Résistance Drain Source maximum:
0,055 Ω
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:
3.2V
Nombre d'éléments par circuit:
1
Matériau du transistor:
SiC
Autres mots de recherche: Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, transistor cms, 2010890, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, STMicroelectronics, SCTH35N65G2V7
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Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
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