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Module MOSFET STMicroelectronics canal N, Hip247 45 A 650 V, 3 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Product Image
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N° du produit:
     1295E-2025487
Fabricant:
     ST Microelectronics
N°. du fabricant:
     SCTW35N65G2VAG
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium de classe automobile STMicroelectronics a été développé à laide de la technologie Advanced and innovante de MOSFET SiC de 2e génération de ST. Lappareil est doté dune résistance à létat passant remarquablement faible par zone dunité et de très bonnes performances de commutation.Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste Capacité faible
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
45 A
Tension Drain Source maximum:
650 V
Type de boîtier:
Hip247
Série:
SCT
Type de montage:
Traversant
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
0,055 Ω
Mode de canal:
Depletion
Tension de seuil maximale de la grille:
5V
Nombre d'éléments par circuit:
1
Matériau du transistor:
SiC
Autres mots de recherche: Transistor, transistor 5v, transistors de puissance, 2025487, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, STMicroelectronics, SCTW35N65G2VAG
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1
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Commandes seulement avec des multiples de 30 Pièces
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État du stock: Entrepôt 1295
Expédition: Entrepôt 1295
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Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 1295
Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
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Accessoires
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Type
Image
Produit
Fabricant/N°.
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Accessoires
ST Microelectronics
STEVAL-DPSTPFC1
à partir de € 516,381*
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