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IGBT, STGB30H65DFB2, , 50 A, 650 V, D2PAK (TO-263), 3 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-2049867
Fabricant:
     ST Microelectronics
N°. du fabricant:
     STGB30H65DFB2
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistor CMS
La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire darrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi quen termes dénergie de commutation réduite.Température de jonction maximale : TJ = 175 °C. Faible VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A. Diode à récupération souple et très rapide Courant de queue minimisé Distribution de paramètres serrée
Plus d'informations:
Courant continu de Collecteur maximum:
50 A
Tension Collecteur Emetteur maximum:
650 V
Tension Grille Emetteur maximum:
±20V
Dissipation de puissance maximum:
167 W
Nombre de transistors:
1
Type de boîtier:
D2PAK (TO-263)
Nombre de broches:
3
Autres mots de recherche: Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, Transistors, Transistor, transistor cms, 2049867, Semi-conducteurs, Composants discrets, IGBT, STMicroelectronics, STGB30H65DFB2
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Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
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