Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-2104973 N°. du fabricant:
SiHB186N60EF-GE3 EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 8,4 A
Tension Drain Source maximum = 600 V
Série = EF
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 3
Résistance Drain Source maximum = 0,168 Ω
Tension de seuil maximale de la grille = 3 → 5V
Nombre d'éléments par circuit = 1 Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 8,4 A | Tension Drain Source maximum: | 600 V | Type de boîtier: | D2PAK (TO-263) | Série: | EF | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 0,168 Ω | Tension de seuil maximale de la grille: | 3 → 5V | Nombre d'éléments par circuit: | 1 |
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| Autres mots de recherche: 2104973, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, SiHB186N60EFGE3 |
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