Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-2122104 N°. du fabricant:
STD11N60M6 EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Transistor MOSFET M6 MDmesh N-CHLa technologie STMicroelectronics MDmesh M6 intègre les progrès les plus récents dans la famille MDmesh bien connue et consolidée de MOSFET SJ. Il sappuie sur la génération précédente de dispositifs MDmesh grâce à sa nouvelle technologie M6, qui combine une excellente amélioration de RDS(on) par zone avec lun des comportements de commutation les plus efficaces disponibles, ainsi quune expérience conviviale pour un rendement maximal de lapplication finale.Pertes de commutation réduites RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente Faible résistance dentrée de grille Testé à 100 % en avalanche Protégé contre les Zener Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 8 A | Tension Drain Source maximum: | 600 V | Type de boîtier: | DPAK (TO-252) | Série: | STD11N60M6 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 0,5 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 4.75V | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Matériau du transistor: | Si |
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| Autres mots de recherche: 2122104, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, STMicroelectronics, STD11N60M6 |
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